紫外正性光刻膠
正性光刻是將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，被紫外光曝光后的區(qū)域經(jīng)歷了一種化學(xué)反應(yīng)，在顯影液中軟化并可溶解在顯影液中。曝光的正性光刻膠區(qū)域?qū)⒃陲@影液中除去，而不透明的掩膜版下的沒有被曝光的光刻膠仍留在硅片上，由于形成的光刻膠上的圖形與投影掩膜版上的相同，所以這種光刻膠就叫做正性光刻膠。保留下來的光刻膠在曝光前已被硬化并將留在硅片表面，作為后步工藝比如刻蝕的保護層，在接下來的工藝結(jié)束后光刻膠將被除去。
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類型
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型號
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厚度/um
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分辨率/um
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作用光譜
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工藝應(yīng)用
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正性光刻膠
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S1800系列
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0.5-3.5
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0.5
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g-line,broad line
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最常用的紫外薄膠；穩(wěn)定性好
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SPR955系列
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0.5-5
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0.35
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i-line
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高分辨率正膠；應(yīng)用廣泛
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SPR220系列
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1-20
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1
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i-line
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適用于深硅刻蝕工藝和濕法腐蝕工藝
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4000系列
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3-50
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1
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i-,h-,g-line
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適用于電鍍、離子注入、MEMS等工藝
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1500系列
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0.5-5
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0.5
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i-,h-,g-line
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適用于分辨率低于1um的常用工藝
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6100系列
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1-6
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0.5
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i-,g-line
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適用于濕法、干法刻蝕工藝
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以上厚度均為單次涂覆厚度；分辨率一般為極限分辨率。
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