光刻
光刻工藝是半導(dǎo)體制造中至關(guān)重要的一環(huán)，它涉及在硅片（或其他襯底材料）上精確刻制圖案的過程。
光刻工藝是一個復(fù)雜的過程，需要高精度的設(shè)備和技術(shù)控制來保證圖案的精確性和一致性。
新越半導(dǎo)體為多家高校/科研機(jī)構(gòu)提供MEMS加工代工服務(wù)，熟練掌握接觸式光刻、步進(jìn)式光刻、電子束光刻等多種光刻技術(shù)。
- 應(yīng)用材料：
● 硅片，玻璃，藍(lán)寶石，柔性材料等
- 光刻加工工藝：
● 接觸式光刻：
最小圖形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm
● 步進(jìn)式光刻：
投影比例1:5，最小圖形尺寸：0.35μm，套刻精度≤0.15μm(X,Y)，曝光范圍<22*22mm
● 電子束光刻：
最小圖形尺寸：10nm，套刻精度：40nm，曝光范圍<直徑100mm
