碳化硅SiC
供應(yīng)2,3,4,6英寸，切割小塊的SiC碳化硅晶片。
碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)越的新型化合物半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍)、高臨界場強(約為硅的10倍)、高熱導(dǎo)率(約為硅的3倍)等優(yōu)良特性，是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導(dǎo)體材料。同時，也是僅次于鉆石的優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。
目前我們還提供標(biāo)準(zhǔn)的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，用于肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的制作。這些電力電子器件可廣泛應(yīng)用于包括太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電、混合動力及電動汽車等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。
- 尺寸：2,3,4,6英寸；
- 晶向：On axis：±0.5°for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI
Off axis：4.0° toward 1120±0.5°for4H-N/4H-SI
- 厚度(um)：350±25
- 直徑(mm)：50.8±0.3
- 表面粗糙度：Polish Ra≤1nm，CMP Ra≤0.5nm
